杭州亚运会诞生482块金牌，什短中国获得201块。

程硝2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。这项工作表明，化和化堆积方式对晶体材料的激发态和PL各向异性具有重要影响，表明多晶型纳米结构在多功能纳米光子器件中的巨大应用潜力。

1992年作为中日联合培养的博士生公派去日本东京大学学习，短程师从国际光化学科学家藤岛昭。主要从事纳米碳材料、反硝二维原子晶体材料和纳米化学研究，反硝在石墨烯、碳纳米管的化学气相沉积生长方法及其应用领域做出了一系列开拓性和引领性工作，是国际上具有代表性的纳米碳材料研究团队之一。英国物理学会会士，什短英国皇家化学会会士，中国微米纳米技术学会会士。

程硝2004年兼任国家纳米科学中心首席科学家。这项研究为石墨烯的CVD生长中的气相反应工程学提供了新的见解，化和化从而获得了高质量的石墨烯薄膜，化和化并为大规模生产具有改进性能的石墨烯薄膜铺平了道路，为将来的应用铺平了道路。

高导电性、短程卓越的吸附能力和精细的结构使GQF成为一种很有前途的实时气体检测方法。

该工作揭示了AR对电荷转移的影响，反硝并为通过精确调节活性的方法从而设计出高效且环保的催化剂铺平了道路。目前被广泛研究的p型氧化物半导体有SnO，什短NiO，什短Cu2O，PdO等等，这些氧化物的价带顶因为有金属原子轨道和氧原子的p轨道杂化使得价带顶能带色散增强，因而空穴有效质量比较小，迁移率比较大。

常见的由金属氧化物形成的半导体有TiO2，程硝SnO2和In2O3。化和化这个方法成功的筛选出了基于Sn2+的高空穴迁移率高相稳定性的三元化合物:K2Sn2O3,Rb2Sn2O3,TiSnO3,Ta2SnO6,和Sn5(PO5)2。

【成果简介】对此，短程德州大学达拉斯分校KJ Cho课题组提出了通过引入第三种元素到二元金属氧化物的方法来改善p型氧化物禁带宽度小相稳定性弱的缺点。在这个工作中他们以SnO为例，反硝探究了通过引入第三种元素X形成Sn-O-X三元化合物来增大二元化合物SnO禁带宽度和Sn2+的相稳定性。